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氮化鎵（GaN）外延片
潤(run)新微電子提(ti)供具(ju)有更高(gao)性(xing)價(jia)比、穩定可靠的氮化鎵產品(pin)，致(zhi)力于推動電能轉換革命！
■ 控制生長條件實現優(you)異的二維電子氣
■ 利(li)用(yong)特有的緩(huan)沖層生長技術實現高擊(ji)穿電壓(ya)和極低(di)漏(lou)電流
■ 原位氮化硅沉積(ji)提(ti)供了(le)優良的動(dong)態性(xing)能(neng)，提(ti)高器件可靠性(xing)
■ 控制生長條(tiao)件實(shi)現(xian)的高均勻性和重(zhong)復性
Key Features:
● High Vertical Breakdown Voltage: >1000V
● Low Leakage Current @Sub. Ground：<0.1uA/mm2@600V
● Bow X/Y: +/-45um
Typical Applications：
● 650V HEMTs
● 650V Diodes
| Parameters | Measurements |
| Substrate | 6” 1mm <111> p-type Si |
| Epi ThickAvg | ~5um |
| Epi ThickUnif | <2% |
| Bow | +/-45um |
| Cracking | <5mm |
| Vertical BV | >1000V |
| HEMT Al% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm |
| 2DEG conc. | ~1013cm-2 |
| Mobility | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/sq (<2%) |
400-6988-056
